Conform Go4IT: Samsung pregătește terenul pentru următorul salt în miniaturizarea cipurilor, vizând introducerea tehnologiei High-NA EUV pentru procesul de fabricație de 1 nanometru (nm). Producția de masă pentru această nouă generație de procesoare ar putea începe în jurul anului 2030, marcând o etapă semnificativă pentru divizia de foundry a companiei sud-coreene.
High-NA EUV: o nouă eră a litografiei
Tehnologia High-NA EUV (High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet) reprezintă o inovație majoră în industria de microcipuri, permițând trasarea unor linii mult mai fine decât generația anterioară. Prin creșterea deschiderii numerice de la 0,33 la 0,55, noua tehnologie utilizează lumină ultravioletă extremă pentru a crea cipuri avansate, esențiale pentru dezvoltarea inteligenței artificiale. Această rezoluție îmbunătățită ar putea elimina necesitatea unor etape multiple de litografiere pentru anumite structuri, optimizând astfel costurile și flexibilitatea proiectării circuitelor. Totuși, implementarea sa se confruntă cu provocări legate de costuri și maturitatea tehnologiei, inclusiv probleme cu măștile și peliculele de protecție, ceea ce ar putea duce la o coexistență pe termen mediu cu EUV convențional.
Samsung a instalat deja două sisteme High-NA EUV la centrul său din Hwaseong, investițiile totale fiind estimate la peste 1.000 de miliarde de woni. Compania analizează utilizarea acestei tehnologii pentru procesele de 2 nm și 1,4 nm, însă consideră că sunt necesare îmbunătățiri suplimentare pentru o implementare extinsă. Expertul senior în tehnologie ChangMin Park de la Samsung Electronics a explicat că tehnologia ar putea deveni esențială începând cu procesul A10 și versiunile ulterioare.
Competiția se antrenează: Intel și TSMC
Samsung nu este singurul gigant tehnologic care investește în High-NA EUV. Intel a făcut deja un pas concret, utilizând această tehnologie pentru anumite straturi ale procesoarelor sale Panther Lake, fabricate pe procesul Intel 18A. ASML a confirmat că aceasta este prima utilizare a High-NA EUV pentru dispozitive logice produse în serie.
Pe de altă parte, TSMC adoptă o abordare mai prudentă. Deși a achiziționat echipamente High-NA EUV și desfășoară activități de cercetare, compania taiwaneză nu consideră tehnologia necesară pentru toate procesele viitoare. Procesele A13 și A12, programate pentru 2029, nu ar necesita, conform declarațiilor conducerii TSMC, noua generație EUV. Această strategie diferită subliniază abordările distincte ale producătorilor în privința momentului optim pentru adoptarea noii tehnologii.
Și SK hynix explorează potențialul High-NA EUV pentru viitoarele generații de memorii DRAM. Compania a introdus un sistem destinat producției de masă în a doua jumătate a anului 2025, iar cercetarea cu acest echipament a demarat în 2026. SK hynix compară două abordări: utilizarea EUV convențional cu multiple etape de patterning versus High-NA EUV cu o singură etapă, analizând totodată și utilizarea măștilor Phase Shift Mask (PSM) pentru a îmbunătăți contrastul și rezoluția.
Samsung a început deja producția comercială pe procesul de 2 nm și pregătește procesul SF1.4, cu producție de masă anticipată pentru 2029. SF1.4+ și procesul de 1 nm ar urma să intre în producție în 2030, consolidând strategia de miniaturizare a companiei.
Sursa: Go4IT
